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BFP196分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFP196
廠商型號(hào)

BFP196

參數(shù)屬性

BFP196 封裝/外殼為SC-82A,SOT-343;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4

功能描述

NPN Silicon RF Transistor
RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4

封裝外殼

SC-82A,SOT-343

文件大小

79.39 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-1 17:04:00

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BFP196規(guī)格書詳情

BFP196屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BFP196晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

NPN Silicon RF Transistor*

? For low noise, low distortion broadband

amplifiers in antenna and telecommunications

systems up to 1.5 GHz at collector currents from

20 mA to 80 mA

? Power amplifier for DECT and PCN systems

? fT = 7.5 GHz, F = 1.3 dB at 900 MHz

? Pb-free (RoHS compliant) package1)

? Qualified according AEC Q101

* Short term description

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BFP196WNH6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    12V

  • 頻率 - 躍遷:

    7.5GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    1.3dB @ 900MHz

  • 增益:

    9.7dB

  • 功率 - 最大值:

    700mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 50mA,8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    150mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-82A,SOT-343

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-SOT343-4

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Infineon(英飛凌)
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NA
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