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BFP182W分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFP182W
廠商型號

BFP182W

參數(shù)屬性

BFP182W 封裝/外殼為SC-82A,SOT-343;包裝為帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4

功能描述

NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 1mA to 20mA)

封裝外殼

SC-82A,SOT-343

文件大小

58.96 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商

SIEMENS

中文名稱

西門子

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-9 23:01:00

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BFP182W規(guī)格書詳情

NPN Silicon RF Transistor

? For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 1mA to 20mA

? fT = 8GHz

F = 1.2dB at 900MHz

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BFP182WH6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    12V

  • 頻率 - 躍遷:

    8GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

  • 增益:

    22dB

  • 功率 - 最大值:

    250mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 10mA,8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    35mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-82A,SOT-343

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-SOT343-3D

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INF
24+
NA/
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原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票
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SOT343
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