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BFN19分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

BFN19
廠商型號

BFN19

參數(shù)屬性

BFN19 封裝/外殼為TO-243AA;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS PNP 300V 0.2A SOT89

功能描述

PNP Silicon High-Voltage Transistors
TRANS PNP 300V 0.2A SOT89

封裝外殼

TO-243AA

文件大小

67.81 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網址

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數(shù)據手冊

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更新時間

2025-8-16 15:08:00

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BFN19規(guī)格書詳情

BFN19屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由英飛凌科技股份公司制造生產的BFN19晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們仍然是首選技術。

PNP Silicon High-Voltage Transistors

? Suitable for video output stages in TV sets and switching power supplies

? High breakdown voltage

? Low collector-emitter saturation voltage

? Complementary types: BFN18 (NPN)

? Pb-free (RoHS compliant) package

? Qualified according AEC Q101

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    BFN19H6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 2mA,20mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 30mA,10V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-243AA

  • 供應商器件封裝:

    PG-SOT89

  • 描述:

    TRANS PNP 300V 0.2A SOT89

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon(英飛凌)
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標準封裝
7000
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詢價
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24+
標準封裝
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