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BFG540W/XR中文資料飛利浦數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BFG540W/XR
廠商型號

BFG540W/XR

功能描述

NPN 9 GHz wideband transistor

絲印標識

N8

封裝外殼

SOT-343R

文件大小

162.31 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 Philips Semiconductors
企業(yè)簡稱

PHI飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-26 23:00:00

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BFG540W/XR規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NPN silicon planar epitaxial transistors in plastic, 4-pin dual-emitter SOT343N and SOT343R packages.

FEATURES

? High power gain

? Low noise figure

? High transition frequency

? Gold metallization ensures excellent reliability.

APPLICATIONS

They are intended for applications in the RF front end, in wideband applications in the GHz range such as analog and digital cellular telephones, cordless telephones (CT2, CT3, PCN, DECT, etc.), radar detectors, pagers, satellite television tuners (SATV), MATV/CATV amplifiers and repeater amplifiers in fibre-optic systems.

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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