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BFP540	文件：578.51 Kbytes Page：10 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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BFP540F	文件：189.37 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor ?Forhighestgainlownoiseamplifierat1.8GHz ?OutstandingGms=20dB NoiseFigureF=0.9dB ?Goldmetallizationforhighreliability ?SIEGET45-Line	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP540FESD	文件：112.56 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconRFTransisto NPNSiliconRFTransistor* ?ForESDprotectedhighgainlownoiseamplifier ?ExcellentESDperformancetypicalvalue1000V(HBM) ?OutstandingGms=20dB NoiseFigureF=0.9dB ?SIEGET?45-Line ?Pb-free(ROHScompliant)package1) ?QualifiedaccordingAECQ101 *Shorttermdesc	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP540FESD	文件：504.48 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP540FESD	文件：538.44 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFQ540	文件：71.68 Kbytes Page：8 Pages	NPNwidebanddualtransistor DESCRIPTION NPNwidebandtransistorinaSOT89 plasticpackage. FEATURES ?Highgain ?Highoutputvoltage ?Lownoise ?Goldmetallizationensuresexcellentreliability ?Lowthermalresistance. APPLICATIONS ?VHF,UHFandCATVamplifiers.	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFQ540	文件：120.15 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ·HighGain ·HighOutputVoltage ·LowNoise APPLICATIONS ·DesignedforuseinVHF,UHFandCATVamplifiers.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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