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BFG520WSLASHX	文件：154.23 Kbytes Page：16 Pages	Marking：N4；Package：SOT-343N；NPN 9 GHz wideband transistors DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Nplasticpackage. FEATURES ?Highpowergain ?Lownoisefigure ?Hightransitionfrequency ?Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS RFfrontendwidebandapplicationsintheGHzrang	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFG520X	文件：281.9 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BFM520	文件：96.58 Kbytes Page：10 Pages	DualNPNwidebandtransistor DESCRIPTION DualtransistorwithtwosiliconNPNRFdiesinasurfacemount6-pinSOT363(S-mini)package.Thetransistoris primarilyintendedforwidebandapplicationsintheGHz-rangeintheRFfrontendofanaloganddigitalcellular phones,cordlessphones,radardetectors,pagersan	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFP520	文件：48.56 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forhighestgainlownoiseamplifierat1.8GHzand2mA/2V) NPNSiliconRFTransistor Preliminarydata ?Forhighestgainlownoiseamplifierat1.8GHzand2mA/2V OutstandingGa=20dB NoiseFigureF=0.95dB ?Foroscillatorsupto15GHz ?TransitionfrequencyfT=45GHz ?Goldmetalizationforhighreliability ?SIEGET?45-Line	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BFP520	文件：92.84 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Lownoiseamplifierdesignedforlowvoltageapplications,idealfor1.2Vor1.8Vsupplyvoltage ?Commone.g.incordlessphones,satellitereceiversandoscillatorsupto22GHz ?Highgainandlownoiseathighfrequenciesduetohightransitfrequ	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP520	文件：341.53 Kbytes Page：4 Pages	TRANZYSTORYNPN [UNITRACEMI] TRANZYSTORYNPN	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BFP520	文件：110.63 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP520	文件：576.27 Kbytes Page：9 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP520F	文件：53.16 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconRFTransistor Productdescription TheBFP520Fisalownoisedevicebasedonagroundedemitter(SIEGET?)thatispartofInfineon’sestablishedfifthgenerationRFbipolartransistorfamily.ItstransitionfrequencyfTof45GHz,highgainandlownoisemakethedevicesuitableforapplicationsupto15GHz.	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP520F	文件：69.16 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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