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BFG135A數(shù)據(jù)手冊分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF

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廠商型號

BFG135A

參數(shù)屬性

BFG135A 封裝/外殼為TO-261-4,TO-261AA;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 15V 6GHZ SOT223-4

功能描述

NPN Silicon RF Transistor
RF TRANS NPN 15V 6GHZ SOT223-4

封裝外殼

TO-261-4,TO-261AA

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名稱

英飛凌 英飛凌科技股份公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-22 10:19:00

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BFG135A規(guī)格書詳情

描述 Description

? For low-distortion broadband amplifier stages in antenna and telecommunication systems up to 2 GHz at collector currents from 70 mA to 130 mA
? Power amplifiers for DECT and PCN systems
? Integrated emitter ballast resistor
? fT = 6 GHz

簡介

BFG135A屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由制造生產(chǎn)的BFG135A晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件,用于在涉及射頻的設備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BFG135AE6327XT

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    15V

  • 頻率 - 躍遷:

    6GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

  • 增益:

    9dB ~ 14dB

  • 功率 - 最大值:

    1W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 100mA,8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    150mA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供應商器件封裝:

    PG-SOT223-4

  • 描述:

    RF TRANS NPN 15V 6GHZ SOT223-4

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon
2025+
SOT-223
5425
全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售
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SOT223
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INFINEON/英飛凌
2022+
SOT223
42560
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1NFINEON
24+
SOT-223
6500
只做原裝正品現(xiàn)貨 歡迎來電查詢15919825718
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Infineon(英飛凌)
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標準封裝
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