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BFG135分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFG135
廠商型號

BFG135

參數(shù)屬性

BFG135 封裝/外殼為TO-261-4,TO-261AA;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 15V 6GHZ SOT223-4

功能描述

RF Manual 16th edition

封裝外殼

TO-261-4,TO-261AA

文件大小

9.37507 Mbytes

頁面數(shù)量

130

生產(chǎn)廠商
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-2 23:00:00

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BFG135規(guī)格書詳情

General description

10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.

Features and benefits

■ High efficiency

■ Excellent ruggedness

■ Designed for broadband operation

■ Excellent thermal stability

■ High power gain

■ Integrated ESD protection

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

Applications

■ CDMA

■ W-CDMA

■ GSM EDGE

■ MC-GSM

■ LTE

■ WiMAX

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BFG135AE6327XT

  • 制造商:

    ETC

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    15V

  • 頻率 - 躍遷:

    6GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

  • 增益:

    9dB ~ 14dB

  • 功率 - 最大值:

    1W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 100mA,8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    150mA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-SOT223-4

  • 描述:

    RF TRANS NPN 15V 6GHZ SOT223-4

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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