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BFG10/X中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

BFG10/X
廠商型號(hào)

BFG10/X

功能描述

NPN 2 GHz RF power transistor

絲印標(biāo)識(shí)

-MT

封裝外殼

SOT-143

文件大小

74.77 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Philips Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

PHI飛利浦

中文名稱(chēng)

荷蘭皇家飛利浦

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-31 23:00:00

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BFG10/X規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in plastic, 4-pin dual-emitter SOT143 package.

FEATURES

? High power gain

? High efficiency

? Small size discrete power amplifier

? 1.9 GHz operating area

? Gold metallization ensures excellent reliability.

APPLICATIONS

? Common emitter class-AB operation in hand-held radio equipment at 1.9 GHz.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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