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BF5030數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF

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廠商型號

BF5030

參數(shù)屬性

BF5030 封裝/外殼為SC-82A,SOT-343;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 8V 800MHZ SOT343

功能描述

Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
FET RF 8V 800MHZ SOT343

封裝外殼

SC-82A,SOT-343

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名稱

英飛凌 英飛凌科技股份公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-2 13:40:00

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BF5030規(guī)格書詳情

簡介

BF5030屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由制造生產(chǎn)的BF5030晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BF5030WH6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    N 通道

  • 頻率:

    800MHz

  • 增益:

    24dB

  • 額定電流(安培):

    25mA

  • 噪聲系數(shù):

    1.3dB

  • 封裝/外殼:

    SC-82A,SOT-343

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-SOT343-4-1

  • 描述:

    FET RF 8V 800MHZ SOT343

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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