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BDX53F中文資料TGS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BDX53F
廠商型號

BDX53F

功能描述

Complementary Silicon Power Darlington Ttransistors

文件大小

72.11 Kbytes

頁面數(shù)量

1

生產(chǎn)廠商

TGS

網(wǎng)址

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更新時間

2025-8-14 23:23:00

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BDX53F規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The BDX53F are silicon Epitaxial-Base NPN power transistors in monolithic Darlington configuration mounted in Jedec TO-220 plastic package.

They are intented for use in hammer drivers, audio amplifiers and other medium power linear and switching applications.

The complementary PNP types are BDX54F respectively.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    BDX53F

  • 功能描述:

    達林頓晶體管 Silicon Pwr Trnsistr

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 配置:

    Octal

  • 晶體管極性:

    NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    50 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    集電極—基極電壓

  • 最大直流電集電極電流:

    0.5 A

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    SOIC-18

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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