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BDX53B數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF

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廠商型號(hào)

BDX53B

參數(shù)屬性

BDX53B 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 80V 8A TO220

功能描述

互補(bǔ)功率達(dá)林頓晶體管
TRANS NPN DARL 80V 8A TO220

封裝外殼

TO-220-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán)

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-15 12:00:00

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BDX53B規(guī)格書詳情

描述 Description

The devices are manufactured in planar base island technology with monolithic Darlington configuration.

特性 Features

? Good hFE linearity
? Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode
? High fT frequency

簡(jiǎn)介

BDX53B屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由制造生產(chǎn)的BDX53B晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì),但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號(hào)

    :BDX53B

  • 生產(chǎn)廠家

    :ST

  • Marketing Status

    :Active

  • Grade

    :Industrial

  • Transistor Polarity

    :NPN

  • Collector-Emitter Voltage_max(V)

    :80

  • Collector-Base Voltage_max(V)

    :80

  • Collector Current_abs_max(A)

    :8

  • Dc Current Gain_min

    :750

  • Test Condition for hFE (IC)

    :3

  • Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)

    :3

  • VCE(sat)_max(V)

    :2

  • Test Condition for VCE(sat) - IC

    :3

  • Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)

    :12

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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