BDX33B分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
BDX33B |
| 參數(shù)屬性 | BDX33B 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為散裝；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN DARL 80V 10A TO220 |
| 功能描述 | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| 封裝外殼 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
35.88 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導體】 |
| 中文名稱 | 意法半導體集團官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-7-31 14:31:00 |
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BDX33B規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The BDX33B and BDX33C are silicon Epitaxial-Base NPN power transistors in monolithic Darlington configuration mounted in Jedec TO-220 plastic package. They are intented for use in power linear and switching applications.
The complementary PNP types are BDX34B and BDX34C respectively.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
BDX33B
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN - 達林頓
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
2.5V @ 6mA，3A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
500μA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 3A，3V
- 工作溫度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應商器件封裝：
TO-220
- 描述：
TRANS NPN DARL 80V 10A TO220
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STM |
23+ |
TO-220 |
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