BDW83C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
BDW83C |
參數(shù)屬性 | BDW83C 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為剪切帶(CT)帶盒(TB);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 100V 15A TO247-3 |
功能描述 | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
封裝外殼 | TO-247-3 |
文件大小 |
67.87 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
4 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-8-6 20:00:00 |
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BDW83C規(guī)格書詳情
BDW83C屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的BDW83C晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
DESCRIPTION
The BDW83C is a Silicon Epitaxial-Base NPN power monolithic Darlington transistor mounted in Jedec TO-218 plastic package. It is intended for use in power linear and switching applications.
The complementary type is BDW84C.
■ BDW83C IS A STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE
■ COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES
■ HIGH CURRENT CAPABILITY
■ FAST SWITCHING SPEED
■ HIGH DC CURRENT GAIN
APPLICATIONS
■ LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL EQUIPMENT
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
BDW83C
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
剪切帶(CT)帶盒(TB)
- 晶體管類型:
NPN - 達(dá)林頓
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
4V @ 150mA,15A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
1mA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
750 @ 6A,3V
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247-3
- 描述:
TRANS NPN DARL 100V 15A TO247-3
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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