BDW83C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

廠商型號(hào) |
BDW83C |
參數(shù)屬性 | BDW83C 封裝/外殼為T(mén)O-218-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 100V 15A TO218 |
功能描述 | Silicon NPN Darlington Power Transistor |
封裝外殼 | TO-218-3 |
文件大小 |
139.21 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
2 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
中文名稱 | 新澤西半導(dǎo)體 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-7 9:04:00 |
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BDW83C規(guī)格書(shū)詳情
DESCRIPTION
? Collector Current -lc= 15A
? High DC Current Gain-hFE= 750(Min)@ lc= 6A
? Complement to Type BDW84/A/B/C
APPLICATIONS
? Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
BDW83C
- 制造商:
Central Semiconductor Corp
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
750 @ 6A,3V
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-218-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-218
- 描述:
TRANS NPN 100V 15A TO218
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
25+ |
TO-3P |
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ST |
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