BDC01D分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
,TO-226_bentlead.jpg)
| 廠商型號 |
BDC01D |
| 參數(shù)屬性 | BDC01D 封裝/外殼為TO-226-3，TO-92-3 長基體（成形引線）；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 100V 0.5A TO92 |
| 功能描述 | One Watt Amplifier Transistor(NPN Silicon) |
| 封裝外殼 | TO-226-3，TO-92-3 長基體（成形引線） |
| 文件大小 |
96.16 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ONSEMI |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-10 23:01:00 |
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BDC01D規(guī)格書詳情
BDC01D屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的BDC01D晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
One Watt Amplifier Transistor
NPN Silicon
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
BDC01DRL1G
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
700mV @ 100mA，1A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 100mA，1V
- 頻率 - 躍遷：
50MHz
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-226-3，TO-92-3 長基體（成形引線）
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-92（TO-226）
- 描述：
TRANS NPN 100V 0.5A TO92
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
BORDISO |
24+ |
NA/ |
3871 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票 |
詢價 | ||
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24+ |
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80000 |
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1 |
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
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Bordiso |
25+ |
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BORDISO |
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TOSP |
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詢價 | ||
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上海當(dāng)天發(fā)貨 |
50 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
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BORDISO |
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TOSP |
12245 |
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CHENGDU GOLDRIVER ELECTRONICS |
23+ |
SMD |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
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