BD912數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF
| 廠商型號(hào) |
BD912 |
| 參數(shù)屬性 | BD912 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 100V 15A TO220 |
| 功能描述 | 互補(bǔ)硅功率晶體管 |
| 封裝外殼 | TO-220-3 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán) |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-10 20:44:00 |
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BD912規(guī)格書詳情
描述 Description
The BD909 and BD911 are silicon Epitaxial-Base NPN power transistors mounted in Jedec TO-220 plastic package. They are intented for use in power linear and switching applications.
The complementary PNP types are BD910 and BD912 respectively.
特性 Features
? STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES
簡(jiǎn)介
BD912屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)。由制造生產(chǎn)的BD912晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì)，但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
技術(shù)參數(shù)
更多- 制造商編號(hào)
：BD912
- 生產(chǎn)廠家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- Transistor Polarity
：PNP
- Collector-Emitter Voltage_nom(V)
：100
- Collector-Emitter Voltage_max(V)
：100
- Collector-Base Voltage_max(V)
：100
- Collector Current_max(A)
：15
- Collector Current_abs_max(A)
：15
- Dc Current Gain_min
：15
- Dc Current Gain_max
：150
- Test Condition for hFE (IC)
：5
- Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)
：4
- VCE(sat)_max(V)
：1
- Test Condition for VCE(sat) - IC
：5
- Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)
：500
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM |
1844+ |
VQFN016V3030 |
9852 |
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TO-220 |
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ST/意法半導(dǎo)體 |
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TO-220-3 |
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ROHM |
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HSON8 |
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