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CMCP788T

PremiumDualOutputTopEntryAccelerometerwithTemperatureand3PinMS5015

Features ?DualOutputPrecisionAccelerometerwithTemperature ?100mV/g±15and10mV/°C ?150°CMaxTemperatureRange ?±80gDynamicRange ?3PinMS5015Connector ?Class1Division2Approved ?Class1Division1ApprovedwithISBarrierorIsolator ??”-28UNFandM8x1.25Mounting

STi

STI Vibration Monitoring Inc.

CMCP788T-I

PremiumDualOutputTopEntryAccelerometerwithTemperatureandIntegralArmoredBraidedCable

Features ?DualOutputPrecisionAccelerometerwithTemperature ?100mV/g±5and10mV/°C ?150°CMaxTemperatureRange ?±80gDynamicRange ?IntegralBraidedArmorCable ?Class1Division2Approved ?Class1Division1ApprovedwithISBarrierorIsolator ??”-28UNFandM8x1.25Moun

STi

STI Vibration Monitoring Inc.

CMCP788T-IP

PremiumDualOutputTopEntryAccelerometerwithTemperatureandSubmersiblePURIntegralCable

Features ?DualOutputPrecisionAccelerometerwithTemperature ?100mV/g±5and10mV/°C ?150°CMaxTemperatureRange ?±80gDynamicRange ?IntegralBraidedArmorCable ?Class1Division2Approved ?Class1Division1ApprovedwithISBarrierorIsolator ??”-28UNFandM8x1.25Moun

STi

STI Vibration Monitoring Inc.

CP788X

SmallSignalTransistorPNP-LowNoiseAmplifierTransistorChip

PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize13.7x13.7MILS DieThickness5.9MILS BaseBondingPadArea4.0x4.0MILS EmitterBondingPadArea5.5x5.5MILS TopSideMetalizationAl-Si-30,000? BackSideMetalizationAu-12,000?

CentralCentral Semiconductor Corp

美國(guó)中央半導(dǎo)體

D788

SiliconNPNEpitaxial

Application ?Lowfrequencypoweramplifier ?Complementarypairwith2SB738and2SB739

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

DRA788

DRA78xInfotainmentApplicationsProcessor

TI1Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

DRA788

DRA78xInfotainmentApplicationsProcessor

TI1Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

DRA788ABF

DRA78xInfotainmentApplicationsProcessor

TI1Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

DRA788ABF

DRA78xInfotainmentApplicationsProcessor

TI1Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

EVAL-ADG788EBZ

2.5ohm,1.8Vto5.5V,2.5V,-2.5VTriple/QuadSPDTSwitchesinChipScalePackages

GENERALDESCRIPTION TheADG786andADG788arelowvoltage,CMOSdevicescomprisingthreeindependentlyselectableSPDT(singlepole,doublethrow)switchesandfourindependentlyselectableSPDTswitchesrespectively. Lowpowerconsumptionandoperatingsupplyrangeof1.8Vto5.5Vanddual±2

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BD788G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    2.5V @ 800mA，4A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    40 @ 200mA，3V

  • 頻率 - 躍遷：

    50MHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-225AA，TO-126-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-126

  • 描述：

    TRANS PNP 60V 4A TO126

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
onsemi(安森美)
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原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu)
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