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BD434分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

BD434
廠商型號(hào)

BD434

參數(shù)屬性

BD434 封裝/外殼為T(mén)O-225AA,TO-126-3;包裝為剪切帶(CT)帶盒(TB);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 22V 4A SOT32-3

功能描述

EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS

封裝外殼

TO-225AA,TO-126-3

文件大小

136.38 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

CDIL

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-7 16:14:00

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BD434規(guī)格書(shū)詳情

Intended for use in Medium Power Linear and Switching Applications

BD436,BD438,BD440,BD434,BD442 ->PNP

BD435 ,BD437 ,BD439 ,BD433 ,BD441 -->NPN

TO126 Plastic Package

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BD434

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    剪切帶(CT)帶盒(TB)

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 200mA,2A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 10mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    3MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-32-3

  • 描述:

    TRANS PNP 22V 4A SOT32-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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