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BD243C數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF

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廠商型號

BD243C

參數(shù)屬性

BD243C 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 100V 6A TO220-3

功能描述

6.0 A,100 V,NPN 雙極功率晶體管
TRANS NPN 100V 6A TO220-3

封裝外殼

TO-220-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-16 16:22:00

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BD243C規(guī)格書詳情

描述 Description

The 6 A, 100 V PNP Bipolar Power Transistor is designed for use in general purpose amplifier and switching applications. BD243B, BD243C (NPN); BD244B, BD244C (PNP) are complementary devices.

特性 Features

? Collector - Emitter Saturation Voltage -VCE(sat) = 1.5 Vdc (Max) @ IC = 6.0 Adc
? Collector Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 80 Vdc (Min)BD243B, BD244B VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) - BD243C, BD244C
? High Current Gain Bandwidth ProductfT = 3.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc
? Compact TO-220 AB Package
? Pb-Free Packages are Available

簡介

BD243C屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由制造生產(chǎn)的BD243C晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :BD243C

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :1.5

  • IC Cont. (A)

    :6

  • VCEO Min (V)

    :100

  • VCBO (V)

    :100

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :-

  • VBE(on) (V)

    :2

  • hFE Min

    :20

  • hFE Max

    :-

  • fT Min (MHz)

    :3

  • PTM Max (W)

    :65

  • Package Type

    :TO-220-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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