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BD243C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

BD243C
廠商型號(hào)

BD243C

參數(shù)屬性

BD243C 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 100V 6A TO220-3

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

191.48 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-5 23:01:00

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BD243C規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·DC Current Gain -hFE =30(Min)@ IC= 0.3A

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: VCEO(SUS) = 45V(Min)- BD243; 60V(Min)- BD243A

80V(Min)- BD243B; 100V(Min)- BD243C

·Complement to Type BD244/A/B/C

APPLICATIONS

·Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BD243C

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.5V @ 1A,6A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    700μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    15 @ 3A,4V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220-3

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 6A TO220-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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