BD234數據手冊分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
BD234 |
| 參數屬性 | BD234 封裝/外殼為TO-225AA，TO-126-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產品描述：TRANS PNP 45V 2A TO126 |
| 功能描述 | 2.0 A, 45 V PNP Bipolar Power Transistor |
| 封裝外殼 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名稱 | 安森美半導體 安森美半導體公司 |
| 數據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-18 11:50:00 |
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BD234規(guī)格書詳情
描述 Description
The 2 A, 80 V, 25W NPN Bipolar Power Transistor is designed for use in 5.0 to 10 W audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. BD237 (NPN), BD234 (PNP) and BD238 (PNP) are complementary devices.
特性 Features
? DC Current GainhFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc
? Pb-Free Packages are Available
簡介
BD234屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由制造生產的BD234晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們仍然是首選技術。
技術參數
更多- 制造商編號
：BD234
- 生產廠家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Polarity
：PNP
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：0.6
- IC Cont. (A)
：2
- VCEO Min (V)
：45
- VCBO (V)
：60
- VEBO (V)
：5
- VBE(sat) (V)
：-
- VBE(on) (V)
：1.3
- hFE Min
：40
- hFE Max
：-
- fT Min (MHz)
：3
- PTM Max (W)
：25
- Package Type
：TO-225-3
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
TO-126 |
7300 |
專注配單,只做原裝進口現貨 |
詢價 | ||
ON |
05+ |
原廠原裝 |
2051 |
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1738+ |
TO-126 |
8529 |
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恩XP |
24+ |
NA/ |
1277 |
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TO225 |
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ST |
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TO-126 |
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恩XP |
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TO-126 |
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25+ |
TO-126 |
45000 |
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ST |
21+ |
TO126 |
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ST |
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TO126 |
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詢價 |
