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BD180G分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

BD180G
廠商型號

BD180G

參數屬性

BD180G 封裝/外殼為TO-225AA,TO-126-3;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS PNP 80V 1A TO126

功能描述

Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor
TRANS PNP 80V 1A TO126

封裝外殼

TO-225AA,TO-126-3

文件大小

68.59 Kbytes

頁面數量

4

生產廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導體

網址

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數據手冊

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更新時間

2025-8-16 20:22:00

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BD180G規(guī)格書詳情

BD180G屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導體公司制造生產的BD180G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們仍然是首選技術。

3.0 AMPERES POWER TRANSISTORS PNP SILICON 80 VOLTS, 30 WATTS

This device is designed for use in 5.0 to 10 Watt audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits.

特性 Features

?DC Current Gain ? hFE= 40 (Min) @ IC= 0.15 Adc

?BD180 is complementary with BD179

?Pb?Free Package is Available*

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    BD180G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    800mV @ 100mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1mA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 150mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    3MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-126

  • 描述:

    TRANS PNP 80V 1A TO126

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON
12+
TO-126
1890
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價
ON/安森美
24+
NA/
1200
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
詢價
ON
24+
TO-225-3
25000
ON全系列可訂貨
詢價
ON
1738+
TO-126
8529
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十!
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ON
21+
TO-126
1900
原裝現(xiàn)貨假一賠十
詢價
ON
24+
TO-225
8866
詢價
ON
23+
TO-126
1890
正規(guī)渠道,只有原裝!
詢價
三年內
1983
只做原裝正品
詢價
ON Semiconductor
2022+
原廠原包裝
6800
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
詢價
ON/安森美
2447
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