BD179數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
BD179 |
| 參數(shù)屬性 | BD179 封裝/外殼為TO-225AA，TO-126-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 80V 3A SOT32 |
| 功能描述 | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán) |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-25 12:01:00 |
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簡介
BD179屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)。由制造生產(chǎn)的BD179晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
技術(shù)參數(shù)
更多- 產(chǎn)品編號：
BD179
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
800mV @ 100mA，1A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100μA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
15 @ 2V，1A
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-225AA，TO-126-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
SOT-32
- 描述：
TRANS NPN 80V 3A SOT32
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
SOT-32 |
16900 |
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詢價(jià) | ||
ST |
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SOT-32 |
16900 |
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詢價(jià) | ||
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25+ |
SOT-32 |
16900 |
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