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BCW68F分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

BCW68F
廠商型號

BCW68F

參數(shù)屬性

BCW68F 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 45V 0.8A TO236AB

功能描述

PNP General Purpose Amplifier

絲印標(biāo)識

DF

封裝外殼

SOT-23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

157.71 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited
企業(yè)簡稱

BILIN銀河微電

中文名稱

常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-7-16 19:05:00

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BCW68F規(guī)格書詳情

FEATURES

● For general AF applications.

● High current gain.

● Low collector-emitter saturation voltage.

● Complementary types:BCW65,BCW66(NPN).

APPLICATIONS

● This device is designed for general purpose amplifier

and switching applications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BCW68FR

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    450mV @ 50mA,500mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    5μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 100mA,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    80MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS PNP 45V 0.8A TO236AB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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