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BCW66G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

BCW66G
廠商型號

BCW66G

參數(shù)屬性

BCW66G 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為剪切帶(CT)帶盒(TB);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 45V 1A SOT23-3

功能描述

NPN Silicon AF Transistors (For general AF applications High current gain)

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

134.58 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Siemens Semiconductor Group
企業(yè)簡稱

SIEMENS西門子

中文名稱

德國西門子股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-19 15:56:00

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BCW66G規(guī)格書詳情

NPN Silicon AF Transistors

● For general AF applications

● High current gain

● Low collector-emitter saturation voltage

● Complementary types: BCW 67, BCW 68 (PNP)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BCW66G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    剪切帶(CT)帶盒(TB)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    700mV @ 50mA,500mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    20nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    160 @ 100mA,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS NPN 45V 1A SOT23-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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