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BCV26分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

BCV26
廠商型號

BCV26

參數(shù)屬性

BCV26 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP DARL 30V 1.2A SOT23-3

功能描述

PNP Silicon Darlington Transistors (For general AF applications High collector current)

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

141.95 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

SIEMENS

中文名稱

西門子

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-10 23:01:00

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BCV26規(guī)格書詳情

PNP Silicon Darlington Transistors

● For general AF applications

● High collector current

● High current gain

● Complementary types: BCV 27, BCV 47 (NPN)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BCV26

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1V @ 100μA,100mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    20000 @ 100mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    220MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 30V 1.2A SOT23-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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