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BCR196W分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置規(guī)格書PDF中文資料

BCR196W
廠商型號

BCR196W

參數(shù)屬性

BCR196W 封裝/外殼為SC-70,SOT-323;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3

功能描述

PNP Silicon Digital Transistor
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3

封裝外殼

SC-70,SOT-323

文件大小

196.12 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-12 23:21:00

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BCR196W規(guī)格書詳情

BCR196W屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BCR196W晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置預偏置雙極晶體管具有內(nèi)部電阻器,設計用于在未施加輸入信號的情況下將器件保持在偏置或工作點附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作,并產(chǎn)生穩(wěn)定、無失真的輸出信號。預偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數(shù)量,從而可降低項目成本。

PNP Silicon Digital Transistor

? Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit

? Built in bias resistor (R1 = 47k? , R2 = 22k? )

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BCR196WH6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP - 預偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 5mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 500μA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-70,SOT-323

  • 供應商器件封裝:

    PG-SOT323

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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24+
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