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BCR191分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置規(guī)格書PDF中文資料

BCR191
廠商型號

BCR191

參數(shù)屬性

BCR191 封裝/外殼為SC-70,SOT-323;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3

功能描述

PNP Silicon Digital Transistor
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3

封裝外殼

SC-70,SOT-323

文件大小

181.49 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-12 13:24:00

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BCR191規(guī)格書詳情

BCR191屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BCR191晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置預偏置雙極晶體管具有內(nèi)部電阻器,設(shè)計用于在未施加輸入信號的情況下將器件保持在偏置或工作點附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作,并產(chǎn)生穩(wěn)定、無失真的輸出信號。預偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數(shù)量,從而可降低項目成本。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BCR191WE6327HTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP - 預偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 5mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 500μA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-70,SOT-323

  • 供應商器件封裝:

    PG-SOT323

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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