BCR191分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
BCR191 |
參數(shù)屬性 | BCR191 封裝/外殼為SC-70,SOT-323;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 |
功能描述 | PNP Silicon Digital Transistor |
封裝外殼 | SC-70,SOT-323 |
文件大小 |
181.49 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
10 頁 |
生產(chǎn)廠商 | INFINEON |
中文名稱 | 英飛凌 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-12 13:24:00 |
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BCR191規(guī)格書詳情
BCR191屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BCR191晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置預偏置雙極晶體管具有內(nèi)部電阻器,設(shè)計用于在未施加輸入信號的情況下將器件保持在偏置或工作點附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作,并產(chǎn)生穩(wěn)定、無失真的輸出信號。預偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數(shù)量,從而可降低項目成本。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
BCR191WE6327HTSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
PNP - 預偏壓
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
50 @ 5mA,5V
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
300mV @ 500μA,10mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
SC-70,SOT-323
- 供應商器件封裝:
PG-SOT323
- 描述:
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
24+ |
SOT-23 |
96000 |
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Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
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Infineon(英飛凌) |
2511 |
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Infineon/英飛凌 |
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Infineon/英飛凌 |
24+ |
SOT323-3 |
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原裝INFINEON |
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SOT23 |
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INFIEON |
24+ |
TSFP-3 |
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英飛凌 |
24+ |
SOT-23 |
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Infineon/英飛凌 |
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