BCR10分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
BCR10 |
參數(shù)屬性 | BCR10 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3 |
功能描述 | NPN/PNP Silicon Digital Tansistor Array (Switching circuit, inverter, interface circuit, drive circuit) |
封裝外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
62.74 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
5 頁 |
生產(chǎn)廠商 | SIEMENS |
中文名稱 | 西門子 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-14 10:20:00 |
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BCR10規(guī)格書詳情
NPN/PNP Silicon Digital Tansistor Array
? Switching circuit, inverter, interface circuit, drive circuit
? Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP Transistor in one package
? Built in bias resistor (R1=10k?, R2=10k?)
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
BCR108E6327HTSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
NPN - 預偏壓
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
70 @ 5mA,5V
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
300mV @ 500μA,10mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商器件封裝:
PG-SOT23
- 描述:
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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INFINEON |
24+ |
SOT363 |
5000 |
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
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詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
SOT-363 |
9600 |
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詢價 | ||
INFINEON |
19+ |
SOT-323 |
20000 |
詢價 | |||
Infineon/英飛凌 |
1950+ |
SOT363 |
4856 |
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MITSUBISHI |
24+ |
TO-220 |
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詢價 | ||
17PB |
SOT23 |
1 |
普通 |
詢價 | |||
Infineon |
22+ |
NA |
493 |
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詢價 | ||
MIT |
98+ |
TO263 |
26 |
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詢價 | ||
INFINEON |
23+ |
SOT363 |
10000 |
詢價 |