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BCP69T1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

BCP69T1G
廠商型號(hào)

BCP69T1G

參數(shù)屬性

BCP69T1G 封裝/外殼為TO-261-4,TO-261AA;包裝為剪切帶(CT)帶盒(TB);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 20V 1A SOT223

功能描述

PNP Silicon Epitaxial Transistor
TRANS PNP 20V 1A SOT223

封裝外殼

TO-261-4,TO-261AA

文件大小

101.11 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-17 9:11:00

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BCP69T1G規(guī)格書詳情

BCP69T1G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的BCP69T1G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

This PNP Silicon Epitaxial Transistor is designed for use in low voltage, high current applications. The device is housed in the SOT?223 package, which is designed for medium power surface mount applications.

特性 Features

? High Current: IC = ?1.0 A

? The SOT?223 Package can be soldered using wave or reflow.

? SOT?223 package ensures level mounting, resulting in improved

thermal conduction, and allows visual inspection of soldered joints.

The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating

the possibility of damage to the die.

? NPN Complement is BCP68

? Pb?Free Package is Available

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BCP69T1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    剪切帶(CT)帶盒(TB)

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 100mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    85 @ 500mA,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    60MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-223(TO-261)

  • 描述:

    TRANS PNP 20V 1A SOT223

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ON
SOT223
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