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BCP56-10T分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

BCP56-10T
廠商型號(hào)

BCP56-10T

參數(shù)屬性

BCP56-10T 封裝/外殼為TO-261-4,TO-261AA;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 80V 1A SOT223

功能描述

80 V, 1 A PNP medium power transistors

封裝外殼

TO-261-4,TO-261AA

文件大小

274 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
NEXPERIA
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-2 16:20:00

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BCP56-10T規(guī)格書詳情

Features and benefits

? High collector current capability IC and ICM

? Three current gain selections

? High power dissipation capability

? AEC-Q101 qualified

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BCP56-10T3G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    63 @ 150mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    130MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-223(TO-261)

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 1A SOT223

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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