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BSP030	文件：449.05 Kbytes Page：14 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor 1.Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS?1technology. Productavailability: BSP030inSOT223. 2.Features nTrenchMOS?technology nFastswitching nLowon-stateresistance nLogiclevelcompatible nSurfacemountpackage. 3	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
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