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BC859BW

PNP general purpose transistors

DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT323plasticpackage. NPNcomplements:BC849WandBC850W. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS ?Lownoisestagesintaperecorders,hi-fiamplifiersandotheraudio-frequencyequipment.

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BC859BW

PNP Silicon AF Transistors

?ForAFinputstagesanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Lownoisebetween30Hzand15kHz ?Complementarytypes:BC846W,BC847W,BC848W,BC849W,BC850W(NPN)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BC859BW

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors ?Powerdissipation200mW ?PlasticcaseSOT-323 ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedandreeled

DiotecDiotec Semiconductor

德歐泰克

BC859BW

PNP General Purpose Transistor

■Features ●Lowcurrent(max.100mA) ●Lowvoltage(max.45V). ●ComplementstoBC849WandBC850W.

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

BC859BW

PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage)

Features ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC847W,BC848W,BC849W,BC850W(NPN)

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BC859BW

SMD General Purpose PNP Transistors

SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors ?Powerdissipation200mW ?PlasticcaseSOT-323 ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedandreeled

DiotecDiotec Semiconductor

德歐泰克

BC859BW

Marking：4B；Package：SOT323；PNP general purpose transistors

FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.45V).

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

BC859BW

Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors

DiotecDiotec Semiconductor

德歐泰克

BC859BW,115

Package：SC-70，SOT-323；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS PNP 30V 0.1A SOT323

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

BC859BW,135

Package：SC-70，SOT-323；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS PNP 30V 0.1A SOT323

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BC859BW

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多BC859BW供應商 更新時間2025-7-22 20:25:00

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