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BC858BWT1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

BC858BWT1G
廠商型號(hào)

BC858BWT1G

參數(shù)屬性

BC858BWT1G 封裝/外殼為SC-70,SOT-323;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 30V 0.1A SC70-3

功能描述

General Purpose Transistors
TRANS PNP 30V 0.1A SC70-3

封裝外殼

SC-70,SOT-323

文件大小

84.18 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-4 11:20:00

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BC858BWT1G規(guī)格書詳情

BC858BWT1G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的BC858BWT1G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SC?70/SOT?323 which is designed for low power surface mount applications.

特性 Features

? S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC?Q101

Qualified and PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BC858BWT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    650mV @ 5mA,100mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    15nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    220 @ 2mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-70,SOT-323

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SC-70-3(SOT323)

  • 描述:

    TRANS PNP 30V 0.1A SC70-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ON(安森美)
2511
標(biāo)準(zhǔn)封裝
8000
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