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BC858B

GeneralPurposeTransistorPNPSilicon

GeneralPurposeTransistor PNPSilicon P/bLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

BC858B

PNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR

Features ?IdeallySuitedforAutomaticInsertion ?ComplementaryNPNTypesAvailable(BC846-BC848) ?ForSwitchingandAFAmplifierApplications ?LeadFree/RoHSCompliant(Note3)

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

BC858B

0.2WattsPNPPlastic-EncapsulateTransistors

Features ◇Epitaxialplanardieconstruction ◇Surfacedevicetypemounting ◇Moisturesensitivitylevel1 ◇MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate ◇PbfreeversionandRoHScompliant ◇Greencompound(Halogenfree)withsuffixGon packingcodeandprefixGondatecode

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司

BC858B

PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS

VOLTAGE65/45/30VoltsPOWER225mW FEATURES ?GeneralPurposeAmplifierApplications ?NPNEpitaxialSilicon,PlanarDesign ?CollectorCurrentIC=-100mA ?Complimentary(PNP)Devices:BC846/BC847/BC848/BC849Series ?IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

BC858B

NPNgeneralpurposeTransistor

FEATURES ●Lowcurrent.(max.100mA). ●Lowvoltage.. APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplification.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

BC858B

PNPGeneralPurposeTransistor

Features ●Ideallysuitedforautomaticinsertion ●ForSwitchingandAFAmplifierApplications

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

BC858B

PNPTransistor

Features ●Ideallysuitedforautomaticinsertion ●ForSwitchingandAFAmplifierApplications

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

BC858B

SOT-23BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(PNP)

RECTRON

Rectron Semiconductor

BC858B

PNPSmallSignalTransistor310mW

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

BC858B

PNPSiliconAFTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BC858A-HF

  • 制造商：

    Comchip Technology

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    650mV @ 5mA，100mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    15nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    125 @ 2.2mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    100MHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應商器件封裝：

    SOT-23-3

  • 描述：

    TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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