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BC857M	文件：160.98 Kbytes Page：10 Pages	PNP general purpose transistors DESCRIPTION PNPgeneralpurposetransistorinaSOT883leadlessultrasmallplasticpackage. NPNcomplement:BC847Mseries. FEATURES ?Leadlessultrasmallplasticpackage(1mm×0.6mm×0.5mm) ?Boardspace1.3×0.9mm ?PowerdissipationcomparabletoSOT23. APPLICATIONS ?Generalpu	ETC	ETC
BC857M	文件：362.92 Kbytes Page：11 Pages	PNP general purpose transistors FEATURES ?Leadlessultrasmallplasticpackage(1mm×0.6mm×0.5mm) ?Boardspace1.3×0.9mm ?PowerdissipationcomparabletoSOT23.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
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BC857M_SERIES	文件：362.92 Kbytes Page：11 Pages	PNP general purpose transistors FEATURES ?Leadlessultrasmallplasticpackage(1mm×0.6mm×0.5mm) ?Boardspace1.3×0.9mm ?PowerdissipationcomparabletoSOT23.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
BC857QAS	文件：688.74 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mAPNP/PNPgeneral-purposetransistor Generaldescription PNP/PNPgeneral-purposetransistorinaleadlessultrasmallDFN1010B-6(SOT1216)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/NPNcomplement:BC847QAS. NPN/PNPcomplement:BC847QAPN. Featuresandbenefits ?Reducescomponentcount ?Reducespickandplacecosts ?A	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
BC857RA	文件：240.05 Kbytes Page：11 Pages	45V,100mAPNP/PNPgeneral-purposedoubletransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
BC857S	文件：73.65 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarDouble-Transistors ?Powerdissipation300mW ?PlasticcaseSOT-363 ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDiotec Semiconductor 德歐泰克	Diotec
BC857S	文件：57.79 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconAFTransistorArray PNPSiliconAFTransistorArrays ?ForAFinputstagesanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Two(galvanic)internalisolatedtransistorwithgoodmatchinginonepackage ?BC856S/U,BC857S:Fororientationinreelseepackageinformation	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC857S	文件：159.17 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconAFTransistorArray(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage) PNPSiliconAFTransistorArray ?ForAFinputstagesanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Two(galvanic)internalisolatedTransistorswithhighmatchinginonepackage	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS

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