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BC857C

PNPSiliconAFTransistors

PNPSiliconAFTransistors ?ForAFinputstagesanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Lownoisebetween30Hzand15kHz ?Complementarytypes:BC846,BC847,BC848,BC849,BC850(NPN)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BC857C

PNPGeneralPurposeAmplifier

Features ?SwitchingandAmplifierApplications ?Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits ?LowNoise:BC859,BC860 ?ComplementtoBC846...BC850

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

BC857C

SwitchingandAmplifierApplications

Features ?SwitchingandAmplifierApplications ?Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits ?LowNoise:BC859,BC860 ?ComplementtoBC846...BC850

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

BC857C

PNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR

Features ●IdeallySuitedforAutomaticInsertion ●ComplementaryNPNTypes:BC846–BC848 ●ForSwitchingandAFAmplifierApplications ●TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ●HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) ●QualifiedtoAEC-Q101StandardsforH

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

BC857C

PNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR

TRSYS

Transys Electronics

BC857C

PNPgeneralpurposetransistors

DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplements:BC846andBC847. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification.

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BC857C

SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors

SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors ?Powerdissipation250mW ?PlasticcaseSOT-23 ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagin

DiotecDiotec Semiconductor

德歐泰克

BC857C

GeneralPurposeTransistorPNPSilicon

GeneralPurposeTransistor PNPSilicon P/bLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

BC857C

PNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR

Features ?IdeallySuitedforAutomaticInsertion ?ComplementaryNPNTypesAvailable(BC846-BC848) ?ForSwitchingandAFAmplifierApplications ?LeadFree/RoHSCompliant(Note3)

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

BC857C

PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS

VOLTAGE65/45/30VoltsPOWER225mW FEATURES ?GeneralPurposeAmplifierApplications ?NPNEpitaxialSilicon,PlanarDesign ?CollectorCurrentIC=-100mA ?Complimentary(PNP)Devices:BC846/BC847/BC848/BC849Series ?IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BC857BV-TP

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT 100mA -45

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多BC857BV-TP供應商 更新時間2025-7-12 16:30:00

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