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BC857AW	文件：1.06616 Mbytes Page：5 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
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BC857AW-G	文件：151.3 Kbytes Page：6 Pages	SmallSignalTransistor Features -Ideallysuitedforautomaticinsertion -ForSwitchingandAFAmplifierApplications -Powerdissipation PCM:0.15W(@TA=25°C) -Collectorcurrent ICM:-0.1A -Collector-basevoltage VCBO:BC856W=-80V BC857W=-50V BC858W=-30V -Operatingand	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BC857AW-Q	文件：223.53 Kbytes Page：12 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits ?General-purposetransistors ?SMDplasticpackages ?Threedifferentgainselections ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
BC857AW-Q	文件：229.32 Kbytes Page：13 Pages	65V,100mAPNPgeneral-purposetransistors 1.Generaldescription PNPgeneral-purposetransistorsinaverysmallSOT323(SC-70),Surface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. Table1.Productoverview TypenumberPackage NexperiaJEDEC NPNcomplement BC856W-QBC846W-Q BC856AW-QBC846AW-Q BC856BW-QBC846BW-Q BC857W-QBC847W-Q BC	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
BC857B	文件：25.94 Kbytes Page：1 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor Features 1)IdealforswitchingandAFamplifierapplications. 2)Highcurrentgain.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
BC857B	文件：363.71 Kbytes Page：3 Pages	PNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
BC857B	文件：271.92 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage) Features ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC846,BC847, BC849,BC850(NPN)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS

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