描述 Description

NPN Silicon AF Transistors

特性 Features

·High current gain
·Low collector-emitter saturation voltage
·Low noise between 30 Hz and 15 kHz
·Complementary types: BC857...-BC860...(PNP)
·Pb-free (RoHS compliant) package
·Qualified according AEC Q101 1)
· 1BC847BL3 is not qualified according AEC Q101

應用 Application

·For AF input stages and driver applications

簡介

BC849CW屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由制造生產(chǎn)的BC849CW晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術。