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BC848C

NPN general purpose Transistor

FEATURES ?Highcurrentgain. ?ExcellenthFElinearity. ?Lownoisebetween30Hzand15kHz. ?ForAFinputstagesanddriverapplications. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification.

PFSShenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd.

平盛電子深圳市平盛電子有限公司

BC848C

BC846A

FEATURES ?Collectcurrent:0.1A ?GeneralPurposeTransistorNPNType ?RoHScompliantproduct ?OperatingTemp.:-55OC~+150OC

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

BC848C

TRANSISTOR (NPN)

FEATURES ?Ideallysuitedforautomaticinsertion ?ForSwitchingandAFAmplifierApplications

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽(yù)半導(dǎo)體深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司

BC848C

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN SILICON

GeneralPurposeTransistor NPNSilicon

ZOWIEZowie Technology Corporation

智威智威科技股份有限公司

BC848C

NPN Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain)

NPNSiliconAFTransistors Features ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC856,BC857,BC859,BC860(PNP)

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國(guó)西門子股份公司

BC848C

NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR

Features ?IdeallySuitedforAutomaticInsertion ?ComplementaryPNPTypes:BC856–BC858 ?ForswitchingandAFAmplifierApplications ?TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) ?QualifiedtoAEC-Q101StandardsforH

DIODESDiodes Incorporated

美臺(tái)半導(dǎo)體

BC848C

General Purpose Transistor NPN Silicon

GeneralPurposeTransistor NPNSilicon *MoistureSensitivityLevel:1 *ESDRating-HumanBodyModel:>4000V -MachineModel:>400V

WEITRON

Weitron Technology

BC848C

Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES ForgeneralAFapplications Highcollectorcurrent Highcurrentgain Lowcollector-emittersaturationvoltage

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰電子有限公司

BC848C

Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES ForgeneralAFapplications Highcollectorcurrent Highcurrentgain Lowcollector-emittersaturationvoltage

OLITECHOlitech Electronics Co.,Ltd

奧力特電子奧力特電子科技有限公司

BC848C

NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

ForuseinDriverStagesofAudioAmplifierinThickandThin-filmHybridCircuits

CDIL

Continental Device India Limited

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BC848C

  • 制造商：

    MDD

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 系列：

    SOT-23

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    500mV @ 5mA，100mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    420 @ 2mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    100MHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23

  • 描述：

    TRANS NPN 30V 0.1A SOT23

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多BC848C供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-18 18:40:00

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