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BC848BL數(shù)據(jù)手冊分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF

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廠商型號

BC848BL

參數(shù)屬性

BC848BL 包裝為剪切帶(CT);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 30V 100MA SOT23

功能描述

NPN 雙極晶體管
TRANS NPN 30V 100MA SOT23

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導體 安森美半導體公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-20 18:02:00

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BC848BL規(guī)格書詳情

描述 Description

The NPN Bipolar Transistor is designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the SOT-23 package, which is designed for lower power surface mount applications.

特性 Features

? Moisture Sensitivity Level: 1
? ESD Rating - Human Body Model: >4000 VESD Rating - Machine Model: >400 V
? Pb-Free Packages are Available
? S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable

應用 Application

? ESD Protection
? Polarity Reversal Protection
? Data Line Protection
? Inductive Load Protection
? Steering Logic

簡介

BC848BL屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由制造生產(chǎn)的BC848BL晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :BC848BL

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.25

  • IC Cont. (A)

    :0.1

  • VCEO Min (V)

    :30

  • VCBO (V)

    :30

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :0.7

  • VBE(on) (V)

    :0.66

  • hFE Min

    :200

  • hFE Max

    :450

  • fT Min (MHz)

    :100

  • PTM Max (W)

    :0.225

  • Package Type

    :SOT-23-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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3200
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