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BC847W

45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors

Generaldescription NPNgeneral-purposetransistorsinsmallplasticpackages. Features ■Lowcurrent ■Lowvoltage ■Threedifferentgainselections Applications ■General-purposeswitchingandamplification

ETC

ETC

BC847W

NPN General Purpose Transistor

■Features ●Lowcurrent(max.100mA). ●Lowvoltage(max.65V).

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

BC847W

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forgeneralpurposeandswitchingapplications

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司

BC847W

NPN general purpose transistors

DESCRIPTION NPNtransistorinaSC70;SOT323plasticpackage. PNPcomplements:BC856WandBC857W. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification.

PHIPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHI

BC847W

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)

GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ?HighVoltage:BC846WVCEO=65V. ?ForComplementaryWithPNPTypeBC856W/857W/858W.

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

BC847W

NPN Silicon AF Transistors

NPNSiliconAFTransistors ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC856W,BC857W,BC858W,BC859W,BC860W(PNP)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BC847W

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors ?Powerdissipation200mW ?PlasticcaseSOT-323 ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedandreeled

DiotecDiotec Semiconductor

德歐泰克

BC847W

45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors

DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT23plasticpackage.PNPcomplements:BC856,BC857andBC858. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification.

PHIPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHI

BC847W

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

FEATURES ●ForAFinputstagesanddriverapplications. ●Highcurrentgain. ●Lowcollector-emittersaturationvoltage. ●Lownoisebetween30Hzand15kHz. ●Complementarytypes:BC856W,BC857W,BC858W. APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplificationapplication.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

BC847W

SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Ideallysuitedforautomaticinsertion ●ForSwitchingandAFAmplifierApplications

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Package name：

    SC-70

  • Size (mm)：

    2 x 1.25 x 0.95

  • Polarity：

    NPN

  • Ptot (mW)：

    200

  • VCEO [max] (V)：

    45

  • IC [max] (mA)：

    100

  • hFE [min]：

    110

  • hFE [max]：

    800

  • Tj [max] (°C)：

    150

  • fT [min] (MHz)：

    100

  • Automotive qualified：

    N

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
恩XP
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標(biāo)準(zhǔn)封裝
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