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BC847S

DualGeneralPurposeTransistor

DualGeneralPurposeTransistor NPNSilicon P/bLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

BC847S

NPNSiliconAFTransistorArrays

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BC847S

Multi-ChipTransistor

Features Powerdissipation PCM:0.3W(Tamp.=25°C) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:50V Operating&StoragejunctionTemperature Tj,Tstg:-55°C~+150°C

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

BC847S

Multi-chiptransistor(NPN)

Multi-chiptransistor(NPN) APPLICATION Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽半導體深圳市金譽半導體股份有限公司

BC847S

NPNSiliconAFTransistorArrays

NPNSiliconAFTransistorArrays ?ForAFinputstagesanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Two(galvanic)internalisolatedtransistors withgoodmatchinginonepackage ?BC846S/U,BC847S:Fororientationinreelsee packageinfo

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BC847S

SMDGeneralPurposeNPNTransistors

DiotecDiotec Semiconductor

德歐泰克

BC847S

SMDGeneralPurposeDualNPNTransistors

DiotecDiotec Semiconductor

德歐泰克

BC847S

SMDGeneralPurposeNPNTransistors

DiotecDiotec Semiconductor

德歐泰克

BC847S

Multi-ChipTRANSISTOR(NPN)

FEATURES Powerdissipation PCM:300mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:200mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:50V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳深圳市永而佳實業(yè)有限公司

BC847S

DualNPNSmallSignalSurfaceMountTransistor

FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●DualNPNsmallsignalsurfacemounttransistor.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

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更多BC847QAS供應商 更新時間2025-7-24 16:20:00

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