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BC847CDW1T1G數(shù)據(jù)手冊(cè)O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號(hào)

BC847CDW1T1G

功能描述

NPN Duals General Purpose Transistor

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-20 17:56:00

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BC847CDW1T1G規(guī)格書詳情

描述 Description

These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT?363/SC?88 which is designed for low power surface mount applications.

特性 Features

? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

技術(shù)參數(shù)

  • 型號(hào):

    BC847CDW1T1G

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT 100mA 50V Dual NPN

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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