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BC847BV

NPNDUALSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR

Features ●EpitaxialDieConstruction ●ComplementaryPNPTypeAvailable(BC857BV) ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage ●LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note3)

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

BC847BV

NPN/NPNmatcheddoubletransistors

Generaldescription NPN/NPNmatcheddoubletransistorsinsmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages.Thetransistorsarefullyisolatedinternally. Features ■Currentgainmatching ■Base-emittervoltagematching ■Drop-inreplacementforstandarddoubletransistors Applications ■

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BC847BV

NPNPlastic-EncapsulateTransistors

Features ?EpitaxialDieConstruction ?ComplementaryPNPTypeAvailable(BC857BV) ?Ultra-smallSurfaceMountPackage ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureSensitivityLevel1 ?

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

BC847BV

Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES *EpitaxialDieConstruction *ComplementaryPNPTypeAvailable(BC857BV) *Ultra-SmallSurfaceMountPackage

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

BC847BV

NPNPlastic-EncapsulateTransistors

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

BC847BV

DUALTRANSISTOR(NPN)

FEATURES ●EpitaxialDieConstruction ●ComplementaryPNPTypeAvailable(BC857BV) ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽半導體深圳市金譽半導體股份有限公司

BC847BV

DUALTRANSISTOR(NPNNPN)

DUALTRANSISTOR(NPN+NPN) FEATURES ●EpitaxialDieConstruction ●ComplementaryPNPTypeAvailable(BC857BV) ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

BC847BV

NPNPlastic-EncapsulateTransistors

Features ◇Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HFEpitaxialDieConstruction ◇ComplementaryPNPTypeAvailable(BC857BV) ◇Ultra-smallSurfaceMountPackage ◇LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates ◇RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ◇EpoxymeetsUL

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

BC847BV

NPNPlastic-EncapsulateTransistors

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

BC847BV

NPNgeneralpurposedoubletransistor

Featuresandbenefits ?300mWtotalpowerdissipation ?Verysmall1.6mmx1.2mmx0.55mmultrathinpackage ?Excellentcoplanarityduetostraightleads ?Lowcollectorcapacitance ?Improvedthermalbehaviourduetoflatleads ?ReducesnumberofcomponentsasreplacementoftwoSC-75

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BC847BS-TP

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT 100mA 45V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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SOT363
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SOT-363
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更多BC847BS-TP供應商 更新時間2025-7-17 16:02:00

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