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BC847S	文件：284.94 Kbytes Page：3 Pages	Multi-ChipTransistor Features Powerdissipation PCM:0.3W(Tamp.=25°C) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:50V Operating&StoragejunctionTemperature Tj,Tstg:-55°C~+150°C	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC847S	文件：2.75261 Mbytes Page：2 Pages	Multi-chiptransistor(NPN) Multi-chiptransistor(NPN) APPLICATION Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金譽半導(dǎo)體深圳市金譽半導(dǎo)體股份有限公司	HTSEMI
BC847S	文件：843.23 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconAFTransistorArrays NPNSiliconAFTransistorArrays ?ForAFinputstagesanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Two(galvanic)internalisolatedtransistors withgoodmatchinginonepackage ?BC846S/U,BC847S:Fororientationinreelsee packageinfo	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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BC847S	文件：233.15 Kbytes Page：3 Pages	Multi-ChipTRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:300mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:200mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:50V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳實業(yè)有限公司	WINNERJOIN

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