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BC846F	文件：51.75 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorencapsulatedinanultrasmallSC-89(SOT490)plasticSMDpackage. PNPcomplements:BC856F,BC857FandBC858Fseries. FEATURES ?PowerdissipationcomparabletoSOT23 ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitching	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BC846F	文件：279.5 Kbytes Page：4 Pages	Generalpurposeapplication	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團	KODENSHI
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BC846PN	文件：59.88 Kbytes Page：6 Pages	NPN/PNPSiliconAFTransistorArray NPN/PNPSiliconAFTransistorArrays ?ForAFinputstageanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Two(galvanic)internalisolatedNPN/PNP transistorinonepackage ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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BC846PN	文件：1.51451 Mbytes Page：6 Pages	SOT-363Plastic-EncapsulateTransistors Features EpitaxialDieConstruction TwoisolatedNPN/PNP(BC846W+BC856W)Transistorsinonepackage	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
BC846-Q	文件：222.98 Kbytes Page：11 Pages	65V,100mANPNgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits ?General-purposetransistors ?SMDplasticpackages ?Twodifferentgainselections ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
BC846S	文件：40.72 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconAFTransistorArray(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgain) NPNSiliconAFTransistorArray ?ForAFinputstagesanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Two(galvanic)internalisolatedTransistorswithhighmatchinginonepackage	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS

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