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BC639分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

BC639
廠商型號(hào)

BC639

參數(shù)屬性

BC639 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3 長(zhǎng)體;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 80V 1A TO92

功能描述

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

封裝外殼

TO-226-3,TO-92-3 長(zhǎng)體

文件大小

97.76 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

DGNJDZ

中文名稱

南晶電子

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-22 11:13:00

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BC639規(guī)格書詳情

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

Medium Power Transistors for audio and video amplifiers

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BC639

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 150mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    200MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-226-3,TO-92-3 長(zhǎng)體

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-92(TO-226)

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 1A TO92

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
FSC
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12588
TO92
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