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BC558A

PNP SILICON TRANSISTORS

PNPSiliconTransistors

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司

BC558A

Si-Epitaxial PlanarTransistors

GeneralPurposePNPTransistors ?Powerdissipation500mW ?PlasticcaseTO-92 ?Weightapprox.0.18g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedinammopack

DiotecDiotec Semiconductor

德歐泰克

BC558A

PNP General Purpose Transistor

PNPGeneralPurposeTransistor

WEITRON

Weitron Technology

BC558A

Elektronische Bauelemente

FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.1A Collector-basevoltage VCBO:BC556-80V BC557-50V BC558-30V Operatingandstoragejunctiontemp

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

BC558A

PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS AmplifierTransistors

CDIL

Continental Device India Limited

BC558A

General Purpose PNP Transistors

DiotecDiotec Semiconductor

德歐泰克

BC558A

PNP Silicon Planar Epitaxial Transistors

RECTRON

Rectron Semiconductor

BC558A

PNP Silicon Amplifier Transistor 625mW

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

BC558A

Bipolar Transistors;

DiotecDiotec Semiconductor

德歐泰克

BC558A

中等功率雙極型晶體管;

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Product Polarity：

    ?PNP

  • SMD/ThroHole：

    ?Through Hole

  • VCEO (V)：

    ?-30

  • VCBO (V)：

    ?-30

  • VEBO (V)：

    ?-5.0

  • IC (A)：

    ?-0.1

  • PC (W)：

    ?0.625

  • HFE：

    ?120-220

  • @IC (mA)：

    ?-2.0

  • @VCE (V)：

    ?-5.0

  • ICBO：

    ?-0.1 μA

  • IEBO：

    ?-0.1 μA

  • VCE(sat) (V)：

    ?-0.3

  • VBE(sat) (V)：

    ?-0.8

  • FT (MHz)：

    ?150

  • Package Qty：

    ?Bulk

  • FIT：

    ?48; Tj=100℃

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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 詢(xún)價(jià)
更多BC558A供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-25 16:13:00

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